长运代理注册？Veeco在2026年第一季度披露的2.5亿美元光通信设备订单中，磷化铟MOCVD、IBD镀膜以及湿法蚀刻这三类产品的订单金额占比分别是多少？

　　在2.5亿美元的订单总额中，IBD镀膜设备约占80%，而MOCVD设备和湿法蚀刻设备（WaferEtch）大致各占10%。IBD产品占据主导地位，主要得益于其技术的成熟度。该技术源于半导体行业中用于制造磁性材料的工艺，应用于光学镀膜领域属于降维打击，因此在Coherent等客户处的验证过程非常顺利。相比之下，磷化铟MOCVD和湿法蚀刻业务面临更多挑战。磷化铟MOCVD市场主要由爱思强主导，公司则以砷化镓设备为主，在磷化铟领域相对弱势。此外，公司的设备设计主要面向大尺寸晶圆，而磷化铟目前主流为2英寸和3英寸，这进一步削弱了其竞争力。湿法蚀刻技术并非光通信领域的必需工艺，因此市场需求有限。

　　公司的MOCVD设备在处理磷化铟晶圆方面，与爱思强的G4设备相比存在哪些具体的技术和成本差异？

　　公司的Lumina设备设计容量为15片6英寸晶圆，也曾设计过可容纳27片3英寸磷化铟晶圆的方案。然而，在满载27片3英寸晶圆时，其片内均匀性和片间均匀性与爱思强的G4设备相比差距显著。若将装载量减少至十几片以减小片间影响，均匀性表现可以与G4相媲美，但这会导致单片晶圆的原材料消耗大幅增加，成本劣势凸显。

　　公司采用的是层流技术，需要较大的反应腔空间，通过大量气源形成均匀的层流，类似于淋浴喷头向下喷洒的模式。而爱思强采用的是行星式技术，反应腔间隙非常小，是水平流法。在满载27片晶圆的情况下，Lumina的原材料消耗量约为爱思强设备的2.5至2.6倍；若减少装载量，则可能达到3至4倍以上，因此在原材料成本上毫无竞争优势。

　　考虑到Lumentum已向公司下了磷化铟MOCVD的大额订单，公司在产品策略和技术研发上做了哪些调整以满足市场需求？

　　Lumentum之所以向公司下单，一个重要原因是爱思强的产能已被预订完毕。Lumentum与爱思强有深厚的合作历史，在爱思强处于弱势时曾给予支持。为抓住市场机遇，公司自2024年第四季度起开始战略转型，将磷化铟业务作为重点。具体的调整方向是将原有的Lumina设备平台进行小型化改造，以更好地适应Lumentum、Coherent、住友和博通等客户的需求。在此之前，公司曾开发过一款名为LuminaPlus的更大型设备，可处理36片4英寸晶圆，主要用于砷化镓领域，并不适用于磷化铟。因此，当前策略是反向开发，推出小型化的Lumina。不过，MOCVD外延设备的研发周期相对较长，因为需要反复调试各种生长循环和掺杂浓度，其周期要比光学镀膜设备长得多。

　　如果公司将其MOCVD产能全部转向生产磷化铟机台，其年产能潜力如何，以及当前面临哪些主要的瓶颈？

　　若将全部产能转向磷化铟MOCVD设备，公司的年产能将非常可观。爱思强在磷化铟领域的年产能约为五六十台。公司位于Somerset的MOCVD工厂在2011年高峰期时，曾达到过一天生产一台设备的能力。尽管目前该工厂人数已从高峰期的近200人减少到100多人，但这在公司内部仍是第二大事业部，仅次于先进封装光刻部门。公司已基本停止了在氮化镓领域的竞争，相关产能已大部分停产，如果将这些产能全部转移，年产量肯定会远超五六十台。主要的潜在瓶颈可能在于人力资源，而非生产设施。人员是否能跟上产能扩张的需求是一个不确定因素。

　　在考虑了良率的情况下，爱思强G4设备生产70毫瓦CW激光器的年产量约为3,000万至4,000万颗，请问公司的Lumina设备在同等条件下的产能表现如何？

　　公司与AIXTRON设备的良率互有优劣。公司的Lumina产品在均匀性等方面表现不错，通过在边缘处增加气帘保护（通入氮气形成保护层）的设计，有效解决了老款设备边缘易产生particle的问题，从而提升了良率。在产能方面，公司的设备腔体更大。以三寸晶圆为例，AIXTRON的G4设备可放置6片，而公司的设备可放置的片数更多，可能达到12片，因此单次运行的产能具有优势。综合来看，尽管公司设备在单片良率和工艺成熟度上可能不及AIXTRON的G4平台，因为后者经过多年市场验证和众多客户的工艺优化，但公司凭借其更大的设备容量，在总产出上可以弥补这一差距。

　　公司的磷化铟MOCVD设备与AIXTRON的同类设备相比，其售价是多少？

　　公司的设备售价相对便宜。以之前出售给某客户的设备为例，售价约为270多万美元。相比之下，AXTRON的设备在涨价后，价格可能在300万至350万美元之间。

　　IBDcoating技术在光芯片制造领域的市场规模，是否能与磷化铟MOCVD设备相提并论？

　　随着光模块向800G、1.6T及更高速率演进，对芯片端面镀膜的光损耗要求越来越严苛。传统的溅射或ALD等技术在处理高容量光通信芯片时已无法满足要求，而IBD技术则成为必需。IBD技术的核心优势在于其对particle的控制极为出色。由于其离子在轰击靶材时不带电，能有效避免产生电弧，从而显著减少particle的生成。这项技术已在对particle要求最严苛的半导体光罩制造和7nm以下制程的PVD等领域得到验证。对于800G及以上速率的光模块，IBD技术在端面镀膜工艺上具有垄断性优势，是实现高反射或减反射膜层的关键。尽管其工艺步骤数量可能少于MOCVD，但单次镀膜过程非常耗时，有时为达到数微米的厚度，一次镀膜可能需要十几甚至二十多个小时。基于其技术上的不可替代性、垄断地位以及长耗时的特点，其整体市场容量预计将与MOCVD设备相当。

　　IBD镀膜技术在高倍率光芯片中应用的物理原理是什么？为何速率越高，对该技术的需求越迫切？

　　端面镀膜的作用有两个方面：一端需要将光尽可能多地反射回去，另一端则需要让光尽可能多地透去，即分别实现增反射和减反射。随着光模块容量的增大，激光能量也随之增强，这就要求端面镀膜层必须足够厚，才能承受住高能量的冲击而不被烧穿。同时，膜层的光学特性（如折射率、反射率）也需要更精确的控制，以保证透光效率和减少能量积聚。目前，这类镀膜主要采用二氧化硅和硅这两种材料，通过多层堆叠（如6层、8层、10层）形成DBR（分布式布拉格反射器）结构，以实现更强的增透或减反射性能。IBD技术能够精确控制膜层厚度和均匀性，是实现这种高性能膜层的唯一选择，因此速率越高的光芯片，对IBD技术的需求就越迫切。

　　这类IBD设备的基础配置售价约为400万美元。根据客户需求增加额外配置，价格会相应提升，高端配置可能达到600万美元。在半导体磁性材料等要求更高的应用中，配备额外模组的IBD设备售价可超过1,000万美元。对于光通信应用，400万美元的配置已能满足基本需求，但一些客户可能会选配双离子源、光学检测系统等来提升性能和自动化水平，这些目前已趋向于成为标准配置。

　　在光芯片生产线中，IBD镀膜设备与磷化铟MOCVD设备的典型配置比例大约是多少？

　　这个配比关系取决于具体生产的产品速率，例如800G、1.6T或3.2T的工艺流程和时间均不相同。考虑到IBD设备的价格通常高于MOCVD设备，一个相对合理的估计是，每两到三台MOCVD设备需要配置一台IBD设备。

　　在1.6T光模块生产中，IBD镀膜设备与MOCVD设备的配比关系是怎样的？随着技术向更高传输速率演进，这一配比是否会发生变化？

　　在当前的工艺中，IBD镀膜通常需要进行两次，分别在器件的两端进行。对于1.6T光模块，IBD设备与MOCVD设备的配比可能会达到1:1，甚至更高。主要原因是随着传输速率的提升，膜层的厚度会显著增加，导致镀膜时间大幅延长。例如，在一些高端研究中，单次工艺时长可接近40小时。因此，越是高功率、高速度的应用，对IBD设备的需求数量可能会越多。另一方面，如果公司的MOCVD设备在工艺上追平Aixtron，考虑到其设备尺寸更大，MOCVD设备的需求数量可能会相对减少，这将进一步凸显IBD设备需求的增长。

　　IBD镀膜设备市场的竞争格局是怎样的？除了公司之外，主要的竞争者有哪些？

　　在IBD镀膜设备市场，尤其是在高端应用领域，公司没有真正的竞争对手。虽然日本的Optorun（光驰）在光学镀膜市场占有率较高，但其IBD技术相对低端，离子源尺寸较小，并未涉足高端市场。行业内更具实力的竞争者主要有几家：首先是美国的DENTON，该公司从磁控溅射领域转型，在离子束沉积方面具备一定实力；其次是美国的Plasma-Therm；还有一家名为SCIA的公司，其强项在于离子束修整。此外，牛津仪器的离子束技术也做得不错。公司的核心竞争力在于其离子源技术，这是公司的立命之本，尤其在12英寸以上的大尺寸离子源领域，其技术是全球领先的，并且相关产品通常是被禁止销售的。

　　在800G及以上速率的光通信应用领域，公司的IBD设备市场份额大概是多少？

　　在800G及以上速率的光通信应用领域，公司的市场份额可类比HardMask在应用领域的市场地位，当时公司的IBD技术占据了90%以上的市场份额。凭借其全球顶尖的离子源技术，公司在该领域属于降维打击。

　　目前IBD镀膜设备的供应情况如何？为何会出现紧缺，以及国内厂商是否有能力实现国产替代？

　　BD镀膜设备目前供应非常紧缺，甚至出现无法采购到的情况。这主要是因为该类设备受到出口管制，其ECCN为3B001，虽然与MOCVD设备编码相同，但近年来其出口许可证的获取难度显著增加。国内有多家厂商在尝试研发，其中一些是由公司前员工创立的公司，但这些公司目前尚无法涉足高端市场，预计还需要三到五年时间才能取得突破。汇成真空可以生产一些相对低端的产品。

　　公司自上世纪五十年代成立以来，就以离子源的研发和维修起家，离子源技术是其公司发展的基石。尽管公司历经多次收购、并购和业务剥离，但其离子源部门始终保持稳固，并持续进行研发投入和技术迭代，这构成了其长期的技术护城河。公司的离子源技术在不同时代都找到了关键应用场景，从而保证了研发的持续性。例如，在闪存出现前，其产品在硬盘磁头市场占据了超过60%—70%的份额；之后又抓住了HardMask市场的机遇；现在则切入了光通信领域。

　　这种持续的应用迭代使其技术不断更新，特别是在12英寸及以上大尺寸离子源的制造上，公司是全球仅有的一到两家做得最好的公司之一。相比之下，国内厂商如鲁汶仪器虽然也能生产IBD设备，但主要局限于4英寸等小尺寸，应用于实验室等场景，技术差距明显。

　　在离子束设备领域，除了公司之外，市场上还有哪些主要的竞争者？公司在这个领域的竞争优势体现在哪里？

　　在离子束设备领域，除了公司，市场上还存在其他参与者，例如牛津仪器（OxfordInstruments）、SCIA以及一些德国的小型公司。SCIA的离子源产品表现不错，部分德国公司在研发层面也具备实力。然而，这些公司的优势主要体现在研发阶段。当涉及到半导体行业所需的大规模量产能力时，公司是唯一能够满足要求的供应商。研发生产能力与大规模量产能力是两个不同层级的概念。一个例证是，半导体设备制造商LamResearch在其离子束刻蚀工艺中，完全采用公司的离子源，这表明即使是行业巨头也依赖公司在该特定领域的技术。不过，需要指出的是，该特定工艺在半导体制造流程中应用并不广泛，大约仅涉及一到两道特殊工艺。

　　考虑到当前市场需求旺盛，公司的IBD设备业务扩产的可能性和周期是怎样的？

　　公司要对IBD业务进行产能扩张存在较大难度，预计扩产周期至少需要一年以上。其位于东部的工厂在扩产决策上相对保守，倾向于避免因市场波动导致扩产后设备闲置和裁员的风险，这与公司在硅谷的设备业务部门的策略形成对比。该工厂的生产自动化程度相对较低，部分环节依赖人工，工厂设施也较为老旧。此外，公司战略重心正转向半导体设备，未来如何定位和发展IBD、MOCVD、ALD、MBE等传统产品线存在不确定性。

　　在市场需求紧俏时，公司的设备产品是否存在涨价情况，其涨价策略和幅度通常是怎样的？

　　在市场需求旺盛时，公司的产品确实会涨价，但涨价策略较为审慎，单次涨幅通常控制在5%至10%之间，以确保客户可以接受。历史上，MBE产品曾经历过较为频繁的涨价，虽然单次涨幅仍在5%至10%的区间内，但在不到一年的时间里连续上调了价格。公司每次涨价都会发布正式函件，并给出合理的理由，如供应链问题、疫情影响、物流或原材料成本上升等，以避免给客户留下“坐地起价”的印象。

　　公司的湿法刻蚀设备在磷化铟芯片生产中扮演什么角色？其市场销售情况和定价策略如何？

　　湿法刻蚀设备在磷化铟光芯片制造工艺中用于电极制作过程中的刻蚀环节。该工艺通过光刻胶作为掩膜，利用酸、碱等化学溶液将不需要的部分材料腐蚀并清洗掉。

　　这在当前的半导体制造中被认为是一项相对基础的技术，业界更倾向于使用成本更高但颗粒物控制更好的干法刻蚀（DryEtch）。公司的湿法刻蚀设备（WaferEtch）年销量极少，可能一年卖不出一两台。该设备在台湾的封装测试厂有一定市场，但在中国大陆市场几乎无法推广。主要原因是其价格过高，单台售价约200多万至300万美元，而国内性能相近的同类设备价格仅为公司的十分之一，因此缺乏竞争力。

　　考虑到当前磷化铟产业链极高的投资回报率，客户是否会为了获得关键的IBD设备，而接受捆绑采购公司的MOCVD和湿法刻蚀设备？

　　这种捆绑销售策略是可能存在的。由于高端IBD设备市场基本由公司独占，客户无法从别处采购，因此公司可能将MOCVD和湿法刻蚀设备作为配套产品搭售。在这种情况下，客户可能会获得一定的价格优惠。

　　从技术角度分析，原用于生产砷化镓的MOCVD设备，是否可以通过调整参数和工艺，转而用于生产磷化铟？如果无法转换，主要的技术壁垒是什么？

　　理论上和技术上，将用于生产砷化镓的MOCVD设备转换为生产磷化铟是可行的。两种工艺的反应温度相近，大约在七八百摄氏度，而温度是MOCVD热反应过程中的关键参数。设备上配置的喷淋头等部件也是通用的。最主要的挑战在于气路和管路系统。由于磷化铟和砷化镓分别使用磷烷和砷烷作为源，化学元素完全不同，存在交叉污染的风险。因此，必须将原有的管路系统彻底更换或确保清理干净，只要能保证在公共管路中没有砷源和镓源的残留，就可以实现转换。材料体系决定了最终产品的波长，因此将砷烷更换为磷烷、镓源更换为铟源后，即可生产不同波段的磷化铟产品。在公司的设备设计中，这几种源通常是并存的。

　　对于不同品牌的MOCVD设备，例如公司和Aixtron,其在跨应用转换（如从LED转向光通信器件生产）的通用性是否存在差异？长光华芯拥有的存量老旧MOCVD设备，若要将其改造用于生产磷化铟，可行性如何？

　　不同品牌的设备在转换通用性上存在显著差异。公司的设备通用性较强，无论是用于LED、光通信还是功率器件的生产，设备本身是通用的。相比之下，Aixtron的设备则存在较多的人为区隔，其针对LED和光通信应用的设备在软件甚至硬件上都存在差异。若将Aixtron的LED设备转用于光通信领域，需要支付数十万美元的软件授权费，并进行部分硬件改造。这也是其LED设备售价（约一两百万美元）远低于光通信设备（三百多万美元）的原因之一。关于长光华芯的情况，需要特殊分析。该公司拥有大量二手老旧设备，部分设备的使用年限甚至超过20年，型号也较为陈旧，包括一些只有几片产能的小型设备和CCS的设备。对于这些老旧设备，进行改造的价值存疑。整个翻新成本可能非常高，并且可能会面临备品备件难以寻找的问题。如果设备是G4或使用年限仅十多年的型号，转换会相对容易；但对于那些“老古董”级别的设备，改造的难度和不确定性极大。

　　在光通信芯片的生产流程中，MOCVD、IBD和E-beam检测设备这三个环节的供应情况如何？E-beam检测设备与MOCVD设备的产能配比关系是怎样的？

　　目前在光通信领域，MOCVD、IBD和E-beam这三个环节的设备均是瓶颈，交货周期都在12个月以上，且主要依赖国外供应商，国内尚无成熟的设备供应商。关于E-beam检测设备与MOCVD设备的具体产能配比，目前没有确切数据，因为这取决于检测速率以及是采用抽检还是全检模式。不过，市场确实普遍反映E-beam设备是当前的短缺环节，甚至比MOCVD设备更为紧缺。有行业反馈称，即便采购到MOCVD和IBD设备，如果缺少E-beam设备，也无法形成有效产能。

　　当前存储市场主要包括DDR5、DDR4和NAND等产品。近期DDR5价格已经全面超过HBM，即使是DDR4的单价也超过了HBM。HBM采用年度定价，价格较为稳定，只有在协议外的增量部分才会涨价。DDR5则是每个季度都在上涨。

　　服务器DRAM价格本季度上涨了40%，服务器整体涨幅为60%。手机类产品存储价格上涨60%。PC产品涨幅在40%到50%之间，DDR约为40%,NAND约为50%。其他细分市场如低端DDR4、低端手机和电视等，涨幅仅为10%。这些低端产品涨幅有限，市场需求较弱。

　　存储价格大幅上涨后，Q3还会继续上涨吗？现在存储在服务器整机中的价值占比是多少？

　　预计Q3存储价格还会继续上涨。以服务器为例，AI服务器中存储（DRAM、NAND、HBM）价值占比约为40%，非A服务器则约为60%。目前购买服务器的成本很大一部分都用于存储。CSP企业Q1财报显示，新增资本开支主要用于应对存储涨价。

　　AI服务器存储价值占比高达40%，主要因为存储容量持续提升，且涨价明显。去年A服务器存储占比不到20%。今年涨价后，Al服务器存储占比提升了四倍。

　　存储容量提升的主要原因是什么？HBM、DRAM、NAND在Al服务器中的作用分别是什么？

　　存储容量提升主要是因为AI服务器对高容量需求持续增长，尤其是token数量增加，DRAM容量不断提升。HBM主要用于高频调用的关键数据，DRAM用于频繁但不是最高频的数据，NAND则用于存储低频或需要长期记忆的数据。NAND主要用于记忆功能，尤其适用于企业内部agent等特定场景。云端应用由于存储空间有限，较少使用NAND进行长期记忆。另外，HBM容量有限，DRAM升级速度较慢，SSD容量提升较快。

　　明年全行业关注长期趋势，如果大客户与供应商签订长期协议，价格将趋于稳定，市场不会再出现大幅上涨。长期来看，2027年价格预计高于2026年，但2028年可能因需求被抑制和产能释放而趋于稳定甚至出现过剩，价格将维持在高位但波动减小。

　　前段时间有消息称博通、高通等公司认为传统消费市场已经见底，您怎么看待当前传统消费市场的情况？

　　高通的意思并不是绝对值见底，而是整个行业最恶劣的阶段已经过去，这是一个相对的概念。此前苹果、华为等企业有大量库存，库存消化后，他们需要采购高价的新货。在这种情况下，国内外手机厂商都将面临涨价，国内的手机OEM也会重新开始备货。整体来看，国内手机端的需求可能并不是整体需求见底，而是竞争最激烈的阶段已经过去。目前手机的售价和成本都很高，导致后续销售表现不佳。苹果由于具备软件优势，能够承受较高价格，销量还能保持增长，但其他安卓厂商，除华为外，明年销量预计还会下降，且降幅不小。整体来看，传统需求仍在萎缩，主要原因是产能有限，市场份额被有能力支付的企业占据。当前的市场判断依赖于现有模型能力，但模型每隔两三个月就会有重大迭代，现有数据和判断可能会因新模型的出现而发生变化。如果到今年10月有更强的模型发布，可能会带来新一轮需求增长，届时存储需求也可能再次上涨。

　　今年晶圆供需差没有变化。明年可能会有一些变化，主要体现在产能方面。行业长期协议签订后，企业会加速扩产，但扩产幅度有限，预计到2028年底会有小幅增减量，整体变化不大。线年。

　　长期协议一般主要涉及哪些内容？重点是HBM和DDR5吗？美国大客户的长协通常包含哪些条款？

　　长期协议主要针对美国的大客户，涉及具体的数量和一定的价格。只有在价格锁定后，厂商才愿意扩产。以往长协签订后，价格上涨时按长协执行，价格下跌时客户可能不履约，导致存储厂商处于弱势。现在厂商变得更强势，要求保证提货、支付定金和赔偿条款，并提前锁定价格，这样他们才会扩产。如果协议达成，可能会提前锁定2027年的价格。虽然长协通常为三到五年，但实际数量可能三年内完成，价格也会顺便锁定2027年和2028年，定金则分阶段支付。

　　以前与美国客户签订的长协并非正式合同，更多是备忘录性质，不具备法律效力，也不锁定价格，只约定数量。2019、2020年曾有美国两家CSP签过三年长协，全球范围内三年期长协极为罕见。现在则是正式合同，通常一年期为主，三年期较少见。

　　三星是否有计划在产能上赶上海力士？近期是否有大型扩产计划？目前三星的产能规划如何？

　　三星目前没有大型扩产计划，扩产速度依然较慢，反而还在减产。由于2D产线关闭，总体产能有所减少。产能扩张属于物理性过程，从设备进场到投产一般需要两年半以上。

　　今明年中国产能扩张对市场没有明显影响。后年如果Al需求强劲，影响依然有限；但如果需求不佳，产能扩张会对市场产生较大影响，主要体现在消费类产品领域。中国企业在服务器产品上的比重仍然很小。

　　如果长协稳定签订，2027年价格会如何变化？是否还会出现大幅上涨？大客户的需求占比是多少？

　　长协签订后，2027年价格不会出现暴涨。大客户提前锁定价格，小客户可能会有更高涨幅，但整体不会出现暴涨。手机端需求疲软，价格甚至可能下降。服务器大客户需求占比逐年提升。手机和PC端占比下降，影响有限。另外，大客户锁定产能后，剩余产能由小客户分配。小客户资金有限，采购量较少，但整体数量仍能满足需求。当前下游需求主要集中在Al领域，无论价格多高都有人采购，而手机端由于缺乏增量价值，需求持续低迷。国内产能释放后，市场将形成国内外分割格局，三星和海力士的产能主要供应服务器，手机端则由国内企业主导。